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0 A (resistivo)&comma
Diseño enchufable con mínima intrusión en la caja trasera
Rango de temperatura: -40 °F a 1 832 °F (-40 °C a 1 000°C)
25:1 (DC a 4 GHz)
Salidas filtradas y electrónicamente reguladas (fuente de alimentación incorporada)
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. URREA 0 A (resistivo)&commaCaractersticas principales Potencia de salida de hasta 84W tpicamente Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete Diodo integrado de proteccin para la puerta Diseado para amplificadores VHF UHF de alta potencia Especificaciones elctricas Tensin drenaje fuente: 40V (mx.) Tensin puerta fuente: 5 +10V Disipacin del canal: 300W Corriente de drenaje: 20A (mx.) Temperatura de canal: 175C Resistencia trmica:
US$ 14500.00
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